
消*措施:延長(zhǎng)保溫時(shí)間,使擴(kuò)散充分完成。采用分區(qū)間升溫,在釬料固一液相區(qū)間快速升溫,減少釬料低熔點(diǎn)組元的揮發(fā)。降低真空壓強(qiáng),防止加熱時(shí)釬料或母材再度氧化。檢查設(shè)備的壓升率。增加堿液濃度或溫度,或延長(zhǎng)堿蝕時(shí)間,徹*清*氧化膜。降低堿液濃度或溫度(一般控制在60°C),或縮短堿蝕時(shí)間,把釬料或母材分開(kāi)堿洗,防止堿洗時(shí)改變釬料的組分。半導(dǎo)體冷板增加釬劑用量,改善釬料的潤(rùn)濕性。